Ниже приведены параметры и характеристики транзистора C945, его цоколевка (распиновка), отечественные и импортные аналоги, его обозначение .
Маркировка транзисторов зарубежных(в т. SMD) и отечественных. У транзисторов,разработанных до 1. Первый элемент обозначения - буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами - МП, буква М означала. Второй элемент обозначения - одно, двух или.
От 1 до 9. 9 - германиевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 1. 01 до 1. 99 - кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 2. 01 до 2. 99 - германиевые мощные низкочастотные транзисторы. От 3. 01 до 3. 99 - кремниевые мощные низкочастотные транзисторы. От 4. 01 до 4. 99 - германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 5. 01 до 5. 99 - кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 6. 01 до 6. 99 - германиевые высокочастотные и. СВЧ мощные транзисторы.
От 7. 01 до 7. 99 - кремниевые высокочастотные и СВЧ. Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии. Например: МП4. 2 - транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки - 4. П4. 01 - транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки - 1. Начиная с 1. 96. 4 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1. Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных. Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения): Буква Г или цифра 1 - германий.
Буква К или цифра 2 - кремний. Буква А или цифра 3 - арсенид галлия. Второй элемент - буква Т, означает биполярный. П - транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты. МГц). 2 - транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 3. МГц). 3 - транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные. МГц). 5 - транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 3. МГц). 6- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные. СВЧ. 7 - транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). МГц). 9 - транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения - . Пример: КТ3. 15. А кремниевый биполярный транзистор. А. С 1. 97. 8 года были введены изменения. Изменения коснулись обозначения функциональных. Для биполярных транзисторов: 1 - транзистор с рассеиваемой мощностью до. МГц. 2- транзистор с рассеиваемой мощностью до. МГц. 4 - транзистор с рассеиваемой мощностью до.
Техдокументация «Транзисторы полевые (MOSFET)» 1002. Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров · Типы корпусов отечественных . Маркировка отечественных и импортных транзисторов. Цоколевка распространенных биполярных и полевых транзисторов.. Маркировка отечественных и импортных транзисторов · Транзистор 1.0 Цоколевка распространенных биполярных и полевых транзисторов.
- Транзисторы импортные. Книги вошедшие в справочник по импортным транзисторам: Маркировка SMD компонентов..
- . и большой мощности. цоколевка транзисторов средней и большой мощности · Цветовая и кодовая маркировка полевых и биполярных транзисторов .
МГц. 7 - транзистор с рассеиваемой мощностью более. МГц. 8 - транзистор с рассеиваемой мощностью более. МГц. 9 - транзистор с рассеиваемой мощностью более. МГц. Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов. Для обозначения порядкового номера разработки.
Для дополнительной классификации используют. А до Я. Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента - обозначения модификаций бескорпусных транзисторов: 1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Пример: КТ2. 11. 5А- 2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения. В общем, - без хорошего каталога не разберешься.